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盛美:步入边缘刻蚀领域,新产品支持3D NAND、DRAM 和先进逻辑制造工艺

盛美:步入边缘刻蚀领域,新产品支持3D NAND、DRAM

和先进逻辑制造工艺

作为半导体制造与先进晶圆级封装领域中领先的新葡萄京娱乐供应商,盛美半导体新葡萄京娱乐股份有限公司(以下简称:“盛美”)近日公布的边缘湿法刻蚀新葡萄京娱乐,进一步拓宽了盛美湿法新葡萄京娱乐的覆盖面。该新新葡萄京娱乐使用湿法刻蚀方法来去除晶圆边缘的各种电解质、金属和有机材料薄膜以及颗粒污染物。这种方法最大限度地减少了边缘污染对后续工艺步骤的影响,提高了芯片制造的良率,同时整合背面晶圆清洗的功能,进一步优化了工艺和产品结构。

盛美董事长王晖表示:“在IC制造工艺里,特别是在3D NAND、DRAM和先进逻辑器件工艺中,晶圆边缘剥离、杂质颗粒和残留物会导致晶圆边缘良率降低,这个问题的解决对于优化整体工艺良率变得越来越重要。我们开发的边缘湿法刻蚀清洗新葡萄京娱乐可有效解决这种边缘良率降低的问题,这款新产品把盛美在湿法工艺的专业技术拓展到边缘刻蚀应用领域。与干法相比,该产品不仅具备明显的性能优势,而且可以显著减少化学品的用量。更值得一提的是,盛美独创的专利技术可做到更精准高效的晶圆对准,以实现精准边缘刻蚀,从而提高良率及产能。”

(来自: 盛美)